893
GaN-транзисторы (сделано в России)
Изделия на базе нитрида галлия привлекательны в качестве альтернативы кремниевым силовым транзисторам.
По мере развития технологий параметры кремниевых ключей постоянно улучшались: снижалось сопротивление открытого канала RDS(ON), увеличивалось рабочее напряжение, повышалась скорость переключения, минимизировались габаритные размеры и др.
В настоящее время технологии производства практически достигли пика своего совершенства, и параметры кремниевых МОП-транзисторов оказались близки к теоретическому пределу, определяемому фундаментальными физическими ограничениями кремния.
Применение данных транзисторов позволяет добиться увеличения КПД до 97-98%, тогда как при использовании изделий на кремнии этот показатель достигает только 93-94%.
Рабочие частоты у силовых GaN-транзисторов на 2 порядка выше, чем у кремниевых и достигают десятков МГц, а ударные токи выше вдвое.